|
Апплет предоставляет Alpha, Beta and Eta параметры
функции близости
(см. Fig.1) для Si или GaAs подложек и ПММА резиста для различных ускоряющих напряжений
Voltage, толщин резистов H0, and исходных диаметров пучка Alpha0.
Параметры интерполируются результатами экспериментальных данных [1].
Свободно распространяемая версия продукта NanoMaker-Editor
включает расчет параметров для большего количества типов подложек.
Fig. 1. Быстрые электроны экспонируют слой резиста дважды - при входе и отражении от подложки.
Если дозу облучения, при прямом проходе электронов взять за 1, то тогда параметр
функции близости Eta характеризует дозу экспонирования обратно отраженных
электронов (электронов, которые покидают подложку).
0–диаметр электронного луча на входе в резист,
–диаметр электронного луча на входе в подложку,
– диаметр области выхода обратно отраженных
электронов из резиста. Beta характеризует так называемое расстояние близости
и фактически определяет область экспонирования.
|