Результаты классического эксперимента из работы опубликованной в 1996 году.
В эксперименте использовалась структура, которая не случайно выглядит как полевой транзистор (рис.1a), где части A и C
имитируют исток и сток, B - затвор, части D и E - это проводники, расположенные где-то далеко а где-то очень близко к большим площадкам.
Был выполнен ряд экспериментов, чтобы продемонстрировать необходимость процедуры коррекции
эффекта близости и эффективность "простой компенсации" как приближения к коррекции эффекта близости.
Качественное совпадение экспериментальных структур с результатами моделирования доказывает, что:
- Модели экспонирования и проявления резиста
реалирзованные в NanoMaker верны
- Разработанные алгоритмы работают должным образом
- Управление экспонированием, осуществляемое NanoMaker, обеспечивает ожидаемый результат